2.4 物理模型参数设置实例

前面介绍了 TCAD 仿真中可能用到的不同物理模型，在不同的仿真中需要使用不同的模型组合，下面以SiC功率VDMOSFET的单粒子效应仿真（具体内容见第 5 章）为例，说明 TCAD 仿真中物理模型参数的设置和使用。主要用到的模型包括迁移率模型、载流子复合模型、载流子统计模型、碰撞电离模型和单粒子效应模型，具体的参数设置如下。

（1）在载流子统计模型中，参数 BGN.E、BGN.N、BGN.C 分别取 9×10^-3、1×10¹⁷和0.5。

（2）在载流子复合模型中，参数 TAUP0=10ns、TAUN0=50s，AUGN、AUGP 分别取 5×10^-29和 9.9×10^-32（4H-SiC 材料）或者 2.8×10^-31和 9.9×10^-32 （6H-SiC材料）。

（3）4H-SiC和6H-SiC材料迁移率模型的参数设置如表2.4所示^[14-15]。

（4）4H-SiC和6H-SiC材料碰撞电离模型的参数设置如表2.5所示^[14-15]。

（5）在单粒子效应模型中，粒子束半径R=0.05μm，电荷生成脉冲峰值的时间 T₀为 4×10^-12s，电荷生成脉冲的时间长度 T_C为 1×10^-12s。假设粒子入射轨迹上产生的电子-空穴对是连续且均匀的，LCD设为0.1pC/μm。

表2.4 4H-SiC和6H-SiC材料迁移率模型的参数设置

表2.5 4H-SiC和6H-SiC材料碰撞电离模型的参数设置